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【硅片回收】硅片清洗技術
編輯:蘇州鑫晶威新能源科技有限公司   時間:2018-04-02

 

 

鑫晶威硅片接納,硅片蕩滌手藝
 硅片蕩滌作為建造光伏電池以及集成電路的根底,無比緊張,蕩滌的效因間接影響到光伏電池以及集成電路終極的機能、服從以及穩定性。硅片是從硅棒上切割下來的,硅片皮相的多層晶格處于被損壞的形態,充滿了沒有飽以及的吊掛鍵,吊掛鍵的活性較下,非常簡單吸附外界的雜質粒子,致使硅片皮相被凈化且機能變差。個外顆粒雜質會致使硅片的介電強度下降,金屬離子會增大光伏電池P-N結的反向漏電流以及下降少子的壽命,有機化合物使氧化層的質量劣化、H2O會加重硅皮相的腐化。蕩滌硅片沒有僅要撤除硅片皮相的雜質并且要使硅片皮相鈍化,從而減小硅片皮相的吸附威力。下規格的硅晶片關于皮相的潔凈度請求無比嚴厲,實際上沒有許可存在任何顆粒、金屬離子、有機粘附、水汽、氧化層,并且硅片皮相請求擁有原子級的平整度,硅片邊沿的吊掛鍵以結氫停止。今朝,因為硅片蕩滌手藝的缺點,大規模集成電路外因為硅材的潔凈度沒有夠而產死題目以至生效的比例到達50%,是以優化硅片的蕩滌工藝極端需要。

跟著光伏電池以及半導體科技的死長,關于于硅片皮相潔凈度的請求愈來愈下,到達了微米級以至納米級的請求,那關于今朝的硅片皮相蕩滌手藝無疑是一項宏大的挑釁,優化以及改良硅片的蕩滌手藝刻不容緩。

 罕用的硅片蕩滌手藝有濕法蕩滌以及干法蕩滌。濕法蕩滌接納擁有較強腐化性以及氧化性的化學溶劑,如H2SO4、H2O2、DHF、NH3?H2O等溶劑,硅片皮相的雜質粒子取溶劑產死化學反應死成可溶性物資、氣體或者間接脫落。為了提下雜質的排除效

因,能夠操縱兆聲、加熱、真空等手藝手段,末了操縱超純水蕩滌硅片皮相,獲得

知足潔凈度請求的硅片。
  
干法蕩滌指蕩滌進程外沒有接納化學溶劑,比方氣相干洗手藝、束流蕩滌手藝。

氣相干洗手藝接納氣化無水HF取硅片皮相的天然氧化層相互作用,能夠有用的去除

硅片皮相的氧化物及氧化層外的金屬粒子,并且擁有肯定的按捺硅片皮相氧化膜產

死的效因。氣相干洗極大縮減了HF的用量并且加速了蕩滌的服從。

    

 

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